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Dual, SiGe, High-Linearity, 700MHz to 1000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +5.0V , P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, LO is high-side injected for a 200MHz IF, T C =+25°C, unless
otherwise noted.)
0
5
RF PORT RETURN LOSS
vs. RF FREQUENCY
IF = 200MHz
0
5
IF PORT RETURN LOSS
vs. IF FREQUENCY
LO = 900MHz
0
10
LO SELECTED RETURN LOSS
vs. LO FREQUENCY
10
15
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
10
15
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
20
P LO = 0dBm
P LO = +3dBm
30
20
20
P LO = -3dBm
25
25
IF RETURN LOSS DEPENDS ON
40
EXTERNAL IF COMPONENTS
30
30
50
700
750
800
850
900
950
1000
50
140
230
320
410
500
700
850
1000
1100
1300
0
10
20
RF FREQUENCY (MHz)
LO UNSELECTED RETURN LOSS
vs. LO FREQUENCY
370
350
330
IF FREQUENCY (MHz)
SUPPLY CURRENT
vs. TEMPERATURE (T C )
V CC = 5.25V
11
10
9
LO FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
(VARIOUS LO AND IF BIAS)
1, 2, 3, 4
30
40
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
310
290
V CC = 4.75V
V CC = 5.0V
8
7
7
5
6
SEE TABLE 1 FOR RESISTOR AND I CC VALUES
50
270
6
700
850
1000
1100
1300
-35
-15
5
25
45
65
85
700
800
900
1000
LO FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
(VARIOUS LO AND IF BIAS)
TEMPERATURE ( ° C)
2LO-2RF RESPONSE vs. RF FREQUENCY
(VARIOUS LO AND IF BIAS)
RF FREQUENCY (MHz)
3LO-3RF RESPONSE vs. RF FREQUENCY
(VARIOUS LO AND IF BIAS)
28
26
1
2, 3, 4
1
80
75
1
2, 3, 4
P RF = -5dBm
85
80
1, 2, 3, 4
P RF = -5dBm
24
22
5
6
4
70
65
75
70
65
6
7
20
18
16
7
SEE TABLE 1 FOR RESISTOR AND I CC VALUES
60
55
5
7
SEE TABLE 1 FOR RESISTOR AND I CC VALUES
60
55
50
5
6
SEE TABLE 1 FOR RESISTOR AND I CC VALUES
14
50
45
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
______________________________________________________________________________________
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